半导体器件物理学
课程编码：080902M04003H 英文名称：Physics of Semiconductor Devices 课时：80 学分：5.00 课程属性：专业核心课 主讲教师：许军
教学目的要求 本课程介绍现代超大规模集成电路中几种主要的有源半导体器件，包括半导体二极管（PN结），双极型晶体管（BJT），金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本知识。教学目标是要求学生掌握现代集成电路中最常用的几种半导体器件的物理原理和分析方法，以及采用计算机进行模拟分析的各种器件物理模型，并能够根据具体要求设计相关的半导体器件。
预修课程 高等数学、普通物理
大纲内容 第一章 半导体的能带与载流子 6学时 许军第1节 半导体的能带第2节 半导体中的载流子第二章 载流子的产生-复合及其输运特性 6学时 许军第1节 载流子的产生与复合第2节 载流子的输运特性第三章 半导体器件制造技术简介 6学时 许军第1节 半导体单项工艺第2节 半导体工艺流程第四章 PN结与金属-半导体接触 6学时 许军第1节 半导体PN结第2节 金属-半导体接触第五章 MOS结构与MOS电容 6学时 许军第1节 MOS结构的组成第2节 MOS电容的CV特性第六章 MOS场效应晶体管 12学时 许军第1节 MOS场效应晶体管结构第2节 MOSFET工作原理第3节 MOSFET阈值电压第4节 MOSFET电流电压特性第七章 MOS器件小尺寸效应与等比例缩小原理 12学时 许军第1节 MOS器件短沟道效应第2节 MOS器件窄沟道效应第3节 载流子速度饱和特性第4节 等比例缩小原理第八章 双极型晶体管工作原理 12学时 许军第1节 双极型晶体管结构第2节 双极型晶体管工作原理第3节 双极型晶体管等效电路模型第4节 双极型晶体管频率特性第九章 CMOS器件的优化设计 6学时 许军第1节 CMOS器件的设计准则第2节 CMOS器件的优化设计第十章 双极型器件的优化设计 6学时 许军第1节 双极型器件的设计准则第2节 双极型器件的优化设计第十一章 其它特殊半导体器件简介 3学时 许军第1节 几种功率半导体器件简介
参考书 1、 无 无 无 无
课程教师信息 许军，清华大学教授，博士生导师，原清华大学微电子学研究所所长。